Создан новый источник излучения для литографии в дальнем ультрафиолете

Новая технология позволит многократно увеличить объем чипов памяти.

Новый источник излучения для использования в системах литографии в дальнем ультрафиолете (Extreme UltraViolet Lithography, EUVL), разработан в университете штата Калифорния в г. Сан-Диего (США) совместно с компанией Cymer.

Группа исследователей под руководством Марка Тиллака (Mark Tillack), подала патентную заявку на использование сделанного ими открытия, которое позволяет использовать в EUVL-системах импульсы СО2-лазера большой продолжительности.

В настоящее время используются EUVL-системы, где лазерное излучение на длине волны в области вакуумного ультрафиолета с ультракороткими импульсами направляется непосредственно на маску и через нее на кремниевую пластину. Подобные системы в перспективе позволят осуществить массовый переход в производстве микросхем на технологический процесс 32 нм. Однако стоимость их пока очень высока, а производительность недостаточна.

В процессе, разработанном калифорнийскими учеными, используется преобразование энергии излучения СО2 лазера в излучение в вакуумном ультрафиолете. Такой вариант существенно удешевит создание и эксплуатацию промышленных лазерных установок, к тому же эффективность использования излучения в этом случае также выше.

Д-р Тиллак считает, что использование нового источника для литографии позволит создавать модули флэш-памяти размером в 200 Гбайт, что в итоге приведет к постепенному вытеснению с рынка жестких дисков.

Информация с сайта www.cnews.ru