Ученые увеличили память в 150 тыс. раз

Британские ученые создали новый тип молекулярных переключателей, способных хранить данные и меняющих свое состояние под воздействием электрического поля. По их словам, «с помощью таких переключателей на одном квадратном дюйме можно расположить 500 тыс. гигабайт информации», в 150 тыс. раз больше, чем сейчас. Когда устройства с такой памятью можно будет увидеть на рынке и появятся ли они вообще, неизвестно.

Группа ученых из Университета Глазго, Шотландия, совершила очередной прорыв в области создания портативных устройств хранения данных, вмещающих гораздо больше информации, чем современные носители. Исследователи утверждают, что новая нанотехнология записи данных, которую они разработали, позволит увеличить емкость существующих микросхем памяти в 150 тыс. раз.

«В действительности мы нашли совершенно новый способ хранения данных, — отмечает входящий в состав группы профессор Ли Кронин (Lee Cronin). — Мы смогли собрать рабочий нанокластер, включающий две группы электронов-доноров, распложенных точно на расстоянии 0,32 нм друг от друга. В результате получился совершенно новый тип молекулярного триггера. Впервые наша разработка открывает возможность изготовления новых молекулярных переключателей, которыми легко можно управлять с помощью электрического поля. Для этого их необходимо расположить на подложке из золота или кремния».

По словам Кронина и его коллеги, доктора технических наук Малкольма Кадодволы (Malcolm Kadodwala), благодаря вышеупомянутым триггерам в 1 кв. дюйм можно вместить 500 тыс. гигабайт информации, что равняется 4 петабитам. На сегодняшний день на такой площади помещается лишь 3,3 ГБ данных. Исследователи полагают, что в один прекрасный день их разработка позволит многократно увеличить число транзисторов, расположенных в одном чипе. Теоретически, разработка позволит записывать в MP3-плееры более 300 млн. песен высокого качества.

Ученые не смогли ответить на вопрос, когда устройства с такой памятью можно будет увидеть на рынке и появятся ли они вообще, сообщает techradar.com. По словам исследователей, главное в том, что такая память оказалась в принципе возможна. Теперь перед ними лежат две основные задачи: придумать способ адресации такой памяти и технологию ее изготовления.

Информация с сайта www.cnews.ru.