EUV-литография доступна не всем чипмейкерам

Сегодня при изготовлении современных интегральных схем все кристаллы проходят процесс фотолитографии. Эта процедура является одним из самых сложных и ответственных этапов во всей цепочке технологического процесса. Но самое главное - развитие интегральных микросхем, а именно, их миниатюризация, невозможно без параллельного развития процесса литографии. И главное здесь, применение излучения со все более меньшей длиной волны. Сегодня стандартом является применение лазерного излучения с длиной волны 193 нанометра, но очевидно, что в недалеком будущем необходимо переходить на иное оборудование, работающее с электромагнитным излучением с еще меньшей длиной волны. Одним из вариантов развития технологии изготовления интегральных микросхем является переход на так называемый глубокий ультрафиолет.

По современным оценкам, с помощью нового процесса литографии можно будет изготавливать интегральные микросхемы с проектной нормой 22 нанометра (переход на этот техпроцесс должен состояться в 2011 году), а в будущем нас ждет освоение и 16-нм техпроцесса с применением EUV-литографии. Однако приобрести соответствующее технологическое оборудования смогут далеко не все компании-производители. Все дело в том, что его стоимость очень велика. На данный момент EUV-сканера, разработка которого еще даже не завершена, оценивается в $86,9 млн. По некоторым оценкам, стоимость полностью готового оборудования будет превышать отметку в $100 млн. Не стоит забывать, что для серийного изготовления интегральных микросхем чипмейкеру необходимо приобретение не одной, а нескольких машин. В случае больших объемов выпуска количество станков может исчисляться десятками.

Впрочем, крупнейшие производители интегральных микросхем не могут отказать себе в удовольствии приобрести даже столь дорогостоящее технологическое оборудование. Согласно имеющимся сведениям, заказы на EUV-сканеры уже разместили Samsung, Intel, Toshiba, TSMC, Hynix, и IMEC.

Впрочем, пока технология литографии с применением глубокого ультрафиолета требует доработки. Дело в том, что для столь прогрессивной техники требуется использование более прогрессивного фоторезиста, бездефектных масок и средств измерения. Без этого переход на повсеместное применение EUV-технологии попросту невозможен.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на eetimes.com.

Автор оригинального текста: Александр Бакаткин.