Samsung выпустила DDR3-память «30-нм класса»

Фото с сайта www.3dnews.ru

Вслед за компонентами флеш-памяти компания Samsung Electronics внедрила свой передовой техпроцесс «30-нм класса» также и для производства микросхем DDR3 DRAM. Новые двухгигабитные компоненты оперативной памяти стали первыми в отрасли устройствами такого типа.

Разработчики назвали свои компоненты самой передовой DDR3-памятью по состоянию на сегодняшний день. Новые микросхемы отличаются высокой энергоэффективностью и могут использоваться как в серверных системах, настольных компьютерах, так и в ноутбуках, нетбуках и других мобильных устройствах.

Переход с 40-нм на 30-нм техпроцесс позволил увеличить выход годных компонентов с одной подложки на 60%. Таким образом, существенно снизилась себестоимость производства. По потребляемой мощности новые компоненты на 30% выигрывают у 50-нм чипов с такой же емкостью. 4-Гб модуль памяти, спроектированный на базе 30-нм микросхем, при использовании в ноутбуке нового поколения потребляет 3 ватт-часа, что составляет всего 3% от всей потребляемой ноутбуком электроэнергии.

Samsung назвала новую память Green DDR3, подчеркивая «дружественность» своей продукции к экологической среде. Массовое производство 30-нм DDR3-микросхем стартует во втором полугодии.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.samsung.com.

Автор оригинального текста: Александр Будик.