Компания AMD провела тестирование кристалла, полученного с помощью литографии с использованием крайнего ультрафиолета

Компания AMD в сотрудничестве с партнером по исследовательской работе – компанией IBM изготовила функционирующий опытный образец кристалла, для получения наиболее критичного первого слоя металлических межсоединений которого был применен метод литографии с использованием крайнего ультрафиолета (КУФЛ) по всей площади кристалла. Все предыдущие решения, использовавшие КУФЛ для получения действующих кристаллов, обрабатывали лишь небольшую часть поверхности изделия. Работа компаний AMD, IBM и их партнеров в комплексе нанотехнологий NanoTech института нанотехнологий NanoCollege (г. Олбани) представлены доктором Бруно Ла Фонтаин (Bruno La Fontaine) из компании AMD на первой в промышленности конференции по литографии во вторник. Доклад посвящен успешному внедрению КУФЛ, выполняемой по всей пластине, в технологический процесс изготовления опытного образца размером 22 мм x 33 мм с нормой 45 нм.

Литография – это процесс, с помощью которого топология сложных схем, содержащих миллионы транзисторов, таких как микропроцессоры, переносится на кремниевые пластины для формирования множества слоев, необходимых для получения микросхемы. Разработчики микросхем наделяют их все большей функциональностью и улучшают их характеристики, уменьшая размеры транзисторов и размещая все больше транзисторов на заданной площади. Насколько малые размеры транзисторов и соединяющих их проводников могут быть выполнены, связано непосредственно с длиной волны света, используемого для проекции топологии микросхемы на пластину. В методе КУФЛ используется длина волны 13,5 нм, что значительно меньше, чем в применяемой на сегодняшний день 193 нм литографии. Применение более коротких волн позволяет продолжить уменьшение размеров элементов микросхем.

Опытный образец компании AMD сначала был изготовлен на предприятии Fab 36 в Дрездене (Германия) с использованием 193 нм иммерсионной литографии – наиболее передового литографического метода в современном крупносерийном производстве. Затем пластины были переданы в исследовательский центр IBM института CNSE (College of Nanoscale Science and Engineering) в г. Олбани (Нью-Йорк, США), где сотрудники AMD, IBM и их партнеры использовали для формирования первого слоя проводников, соединяющих изготовленные в Германии транзисторы, сканнер КУФЛ компании ASML, установленный в Олбани, что было возможно благодаря сотрудничеству с компаниями ASML, IBM и институтом CNSE. После формирования рисунка, травления и осаждения металла, опытный образец вместе с другими микросхемами прошел электрическое тестирование в компании AMD, которое показало, что транзисторы опытного образца обладают характеристиками, очень близкими к характеристикам транзисторов ИМС, изготовленных с применением только 193 нм иммерсионной литографии. На этих пластинах также будут изготовлены дополнительные слои межсоединений с применением страндартных техпроцессов, что позволит протестировать большие структуры памяти.

Следующим шагом во внедрении КУФЛ в производство станет ее применение не только для изготовления межсоединений, но и всех других критических слоев. Таким образом удастся продемонстрировать, что микропроцессор может быть целиком изготовлен с применением КУФЛ. Литография с использованием крайнего ультрафиолета должна быть полностью подготовлена к применению до 2016 года, когда по международному плану развития полупроводниковых изделий (International Technology Roadmap for Semiconductors) должен быть достигнут уровень технологии с половиной расстояния между элементами DRAM 22 нм.

Информация с сайта www.amd.com