Intel представила подложку с первыми рабочими 22-нм чипами

Президент и главный исполнительный директор корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) вчера, 22 сентября 2009 г., на конференции Intel Developer Forum, проходящей в Сан-Франциско, представил кремниевую подложку, содержащую первые в мире функционирующие чипы, изготовленные на базе 22-нм технологического процесса. С использованием 22-нм технологии были изготовлены тестовые ячейки памяти SRAM, а также логические цепи, которые будут использоваться в будущих микропроцессорах Intel.

Чипы, изготовленные Intel на базе 22-нм технологии, содержат по 364 миллиона битов SRAM-памяти и более 2,9 млрд транзисторов, размещенных на поверхности площадью величиною с ноготь. Ячейки SRAM, используемые в рабочих образцах чипа, отличаются рекордно малой площадью – всего 0,092 кв. микрона. Продемонстрированные чипы базируются на третьем поколении транзисторной технологии high-k с металлическими затворами, благодаря чему обеспечиваются улучшенная производительность и меньший ток утечки.

CEO Intel Пол Отеллини показывает подложку с 22-нм чипами. Фото с сайта www.cnews.ru. 

«Мы лишний раз доказали настоящую и будущую состоятельность Закона Мура, - заявил CEO Intel. – В данный момент мы приступаем к производству первых в мире 32-нм микропроцессоров, которые также являются первыми в мире высокопроизводительными процессорами с интегрированным в корпус чипа графическим контроллером».

«В то же время мы значительно продвинулись в разработке 22-нм техпроцесса, - продолжает Отеллини. - Мы выпустили первые функционирующие чипы, после которых мы собираемся приступить к производству процессоров с еще более широкими возможностями и еще более высокой скоростью работы, чем прежде».

Информация с сайта www.cnews.ru.