IBM анонсировала самую компактную и быстродействующую eDRAM

Логотип с сайта www.3dnews.ru

IBM сообщила об успешной разработке прототипа самого компактного, ёмкого и быстродействующего в полупроводниковой индустрии устройства динамической памяти, произведённого по 32-нм технологии "кремний на диэлектрике" (silicon-on-insulator, SOI). Последняя даёт возможность до 30% увеличить производительность и до 40% снизить энергопотребление по сравнению со стандартной кремниевой технологией. SOI защищает транзисторы "одеялом" диэлектрика, препятствующего утечкам тока, благодаря чему экономится энергия и достигается более эффективная работа.

Чип представляет собой встраиваемую энергозависимую память с произвольным доступом (embedded dynamic random access memory, eDRAM) с наименьшей, как утверждает IBM, ячейкой в индустрии, а быстродействие и ёмкость превышают показатели статической памяти с произвольным доступом (static random access memory, SRAM), выполненной по 32-нм и 22-нм техпроцессам, и сравнимы с SRAM, если бы она производилась с использованием 15-нм технологии. Каждая ячейка вдвое компактнее, чем любая таковая для 22-нм встроенной статической памяти, включая анонсированную самой IBM в августе 2008 года.

Для новой разработки характерны задержки менее 2 нс. В режиме простоя чип потребляет вчетверо меньше энергии относительно существующих образцов, а количество вызванных электрическими зарядами ошибок снижено в 1000 раз. eDRAM может использоваться в принтерах, сетевых устройствах, системах хранения. IBM намерена применять 32-нм технологию SOI в специализированных интегральных микросхемах и чипах для серверов.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на ibm.com.

Автор оригинального текста: Денис Борн.