Разработана технология уменьшения размеров компонентов наноэлектронных схем

Группа ученых из Колорадского университета в Боулдере (США) представила новую методику сокращения линейных размеров элементов электронных схем, основанную на одновременном использовании излучения с различными длинами волн.

В экспериментах применялись две установки: твердотельный лазер на иттрий-алюминиевом гранате с добавками неодима (длина волны получаемого излучения — 473 нм) и аргоновый ионный лазер (364 нм). Направив сфокусированный пучок видимого излучения первого лазера на молекулы жидкого мономера, расположенные на полимерной подложке, ученые инициировали его затвердевание и образование «точки» («линия» формировалась, что естественно, перемещением луча). Процесс напоминает стандартные технологии фотолитографии.

Затем авторы, воспользовавшись дихроичным фильтром, совместили излучение первого лазера с ультрафиолетовым излучением второго, сфокусированным в «кольцо» с помощью дифракционной решетки таким образом, чтобы интенсивность на его оси равнялась нулю; в результате ультрафиолетовое излучение образовало «гало» вокруг видимого пучка. К мономеру было добавлено вещество, препятствующее его затвердеванию при облучении ультрафиолетом. Направив «комбинированный» пучок на подложку, исследователи получили элементы значительно меньших размеров, поскольку их края эффективно «стирались» излучением второго лазера.

Отмечается, что новая технология способна продлить жизнь закону Мура. «Мы считаем, что нам удалось найти перспективный способ производства наноэлектронных устройств», — говорит ведущий автор исследования Роберт Маклеод (Robert McLeod).

Полная версия отчета будет опубликована в журнале Science.

Информация с сайта compulenta.ru/ со ссылкой на материалы EurekAlert!.

Автор оригинального текста: Дмитрий Сафин.